-
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
Юферев, В. С., Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Jon Q., Palmour, John W.
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1243-1248
Юферев_переходной
-
Организация образовательной деятельности в сфере физической культуры и спорта в аспекте цифровизации высшего образования
Погодина, С. В., Юферев, В. С., Погодин, А. А., Сухачев, Е. А.
Организация образовательной деятельности в сфере физической культуры и спорта в аспекте цифровизации высшего образования, С. В. Погодина, В. С. Юферев, А. А. Погодин, Е. А. Сухачев
ил.
// Теория и практика физической культуры .-
2021 .-
№ 5. - С. 106-108 .-
-
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Соболева, О. С., Юферев, В. С., Головин, В. С., Гаврина, П. С., Романович, Д. Н., Мирошников, И. В., Пихтин, Н. А.
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 452-457
Слипченко_исследования
-
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Соболева, О. С., Головин, В. С., Юферев, В. С., Гаврина, П. С., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А.
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs , [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 478-483
Соболева_моделирование
-
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
Калиновский, В. С., Контрош, Е. В., Климко, Г. В., Иванов, С. В., Юферев, В. С., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Андреев, В. М.
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 285-291
Калиновский_разработка
