-
Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
Лубянский, Я. В., Золотарёв, В. В., Бондарев, А. Д., Сошников, И. П., Берт, Н. А., Золотарев, В. В., Кириленко, Д. А., Котляр, К. П., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С.
Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 196-200
Лубянский_влияние
-
Поляризационные эффекты в гетеролазерах In[28]Ga[72]As/GaAs на квантовой яме
Кулакова, Л. А., Лютецкий, А. В., Тарасов, И. С.
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 9. - С. 1684-1690 .-
Кулакова_ поляризационные
-
Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Тарасов, И. С., Шамахов, В. В., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 124-132
Середин_эпитаксиальные
-
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
Соколова, З. Н., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Асрян, Л. В.
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 679-682 .-
Соколова_скорость
-
Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
Иванов, С. А., Золотарёв, В. В., Никоноров, Н. В., Игнатьев, А. И., Золотарев, В. В., Лубянский, Я. В., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С.
Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 801-806
Иванов_сужение
-
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Середин, П. В., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Вавилова, Л. С., Тарасов, И. С., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 .-
Середин_структурные
-
Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
Соколова, З. Н., Веселов, Д. А. , Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Асрян, Л. В.
Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 998-1003
Соколова_рост
-
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Растегаева, М. Г., Слипченко, С. О., Стрелец, В. А., Шамахов, В. В., Тарасов, И. С.
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1247-1252 .-
Веселов_к вопросу
-
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
Воробьёв, Л. Е., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Никитина, Е. В., Софронов, А. Н., Фирсов, Д. А., Воробьев, Л. Е., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю.
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1320-1324 .-
Бабичев_генерация
-
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Середин, П. В., Голощапов, Д. А., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Бондарев, А. Д., Лубянский, Я. В., Тарасов, И. С.
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1283-1294 .-
Середин_особенности
