Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
  Калинина, Е. В., Кудояров, М. Ф., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В.
  
  Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 11. - С. 1244-1248 Калинина_структурные
• Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
  Калинина, Е. В., Каташев, А. А., Виолина, Г. Н., Стрельчук, А. М., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В.
  
  Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников, [Электронный ресурс] цв. ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1368-1373 Калинина_структурные
• Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
  Шарофидинов, Ш. Ш., Николаев, В. И., Смирнов, А. Н., Чикиряка, А. В., Никитина, И. П., Одноблюдов, М. А., Бугров, В. Е., Романов, А. Е.
  
  Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 549-552 .- Шарофидинов_снижение
• Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации
  Николаев, В. И., Степанов, С. И., Шарофидинов, Ш. Ш., Головатенко, А. А., Никитина, И. П., Смирнов, А. Н., Бугров, В. Е., Романов, А. Е., Брунков, П. Н., Кириленко, Д. А.
  
  Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 997-1000 Николаев_хлоридная
• Воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC
  Лебедев, А. А., Бер, Б. Я., Оганесян, Г. А., Белов, С. В., Лебедев, С. П., Никитина, И. П., Середова, Н. В., Шахов, Л. В., Козловский, В. В.
  
  Воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1088-1090 Лебедев_воздействие
• Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника
  Калинина, Е. В., Лёвина, С. А., Виолина, Г. Н., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В., Шварц, М. З., Левина, С. А., Николаев, А. В.
  
  Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 195-200 Калинина _влияние