-
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Надточий, А. М., Хакимов, Р. Р., Маркеев, А. М., Воробьев, А. А., Гусева, Ю. А., Лихачев, А. И., Колодезный, Е. С., Жуков, А. Е.
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства, И. А. Мельниченко, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (598 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 8. - С. 1112-1117 .-
-
Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Крыжановская, Н. В., Комаров, С. Д., Надточий, А. М., Гладышев, А. Г., Бабичев, А. В., Денисов, Д. В., Колодезный, Е. С., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю.
Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы, Н. В. Крыжановская, А. С. Драгунова, С. Д. Комаров [и др.]
граф., табл.
// Оптика и спектроскопия .-
2021 .-
Т. 129, вып. 2. - С. 218-222 .-
-
Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
Максимов, М. В., Надточий, А. М., Шерняков, Ю. М., Паюсов, А. С., Васильев, А. П., Устинов, В. М. , Сeрин, А. А., Гордеев, Н. Ю., Жуков, А. Е.
Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1191-1196
Максимов_влияние
-
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs
Надточий, А. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Рувимов, С. C., Неведомский, В. Н., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 57-62
Надточий_оптические
-
Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
Салий, Р. А., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087
Салий_сравнительный
-
Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Рувимов, С. С., Жуков, А. Е.
Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 372-377
Минтаиров_оптические
-
Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии
Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Жуков, А. Е.
Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 704-710
Минтаиров_квантовые
-
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (282 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
-
Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520-1580нм
Гладышев, А. Г., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Денисов, Д. В., Блохин, С. А., Блохин, А. А., Надточий, А. М., Курочкин, А. С., Егоров, А. Ю.
Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520-1580нм, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1208-1212 .-
Гладышев_оптические
-
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
Салий, Р. А., Косарев, И. С., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 .-
Салий_In
-
Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20-300K
Рыбалко, Д. А., Надточий, А. М., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20-300K, [Электронный ресурс]
ил., схем.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 1. - С. 110-117
Рыбалко_спектроскопия
-
Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs
Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Неведомский, В. Н., Сокура, Л. А., Рувимов, С. С., Шварц, М. З., Жуков, А. Е.
Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136
Минтаиров_многослойные
-
Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
Надточий, А. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Паюсов, А. С., Rouvimov, S. S., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1202-1207 .-
Надточий_оптические
-
Предельная температура генерации микродисковых лазеров
Жуков, А. Е. , Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В.
Предельная температура генерации микродисковых лазеров, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 570-574
Жуков_предельная