-
Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера
Мармалюк, А. А., Ладугин, М. А., Горлачук, П. В., Яроцкая, И. В., Андреев, А. Ю., Багаев, Т. А., Сапожников, С. М., Данилов, А. И., Симаков, В. А., Засавицкий, И. И.
Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера, [[Текст]], А. А. Мармалюк [и др.]
4 рис.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 9. - С. 909-913 .-
-
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках
Кудрявцев, К. Е., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Юрасов, Д. В., Горлачук, П. В., Рябоштан, Ю. Л., Мармалюк, А. А., Новиков, А. В., Красильник, З. Ф.
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389
Кудрявцев_стимулированное
-
Модель расчета состава твердых растворов GaAs[x]P[1 - x] в условиях МОС-гидридной эпитаксии
Максимов, А. Д., Эйстрих-Геллер, В. Ю., Мармалюк, А. А., Ладугин, М. А., Багаев, Т. А., Горлачук, П. В., Яроцкая, И. В.
Модель расчета состава твердых растворов GaAs[x]P[1 - x] в условиях МОС-гидридной эпитаксии, [[Текст]], А. Д. Максимов [и др.]
7 рис.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 4. - С. 362-368 .-
-
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 292-295
Асланян_фотореверсивный
-
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Мирзаи, С. С., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 420-425
Асланян_исследование
