| Индекс УДК | 621.373/.374 |
|
Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера [Текст] А. А. Мармалюк [и др.] |
|
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии на основе гетеропары GaAs/AlGaAs выращены короткопериодные сверхрешетки, активная область и гетероструктура квантового каскадного лазера. Исследованы их характеристики методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. На основе гетероструктур разработаны квантовые каскадные лазеры, излучающие в области спектра около 10 мкм. Мощность излучения в импульсном режиме при 77 К составляла более 200 мВт. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 9. - С. 909-913 |
