Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al[x]In[y]Ga[1-x-y]Bi[z]Sb[1-z]/GaSb
  Алфимова, Д. Л., Лунина, М. Л., Лунин, Л. С., Пащенко, А. С., Казакова, А. Е.
  
  Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al[x]In[y]Ga[1-x-y]Bi[z]Sb[1-z]/GaSb, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 7. - С. 1277-1282 .- Алфимова_влияние
• Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP выращенного на подложке GaSb
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP выращенного на подложке GaSb, [Текст] ил Неорганические материалы, 2017, № 1. з- С.33-40
• Тонкопленочные гетероструктуры In[x]Al[y]Ga[1-x-y]As[z]Sb[1-z]/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
  Лунина, М. Л., Лунин, Л. С., Калинчук, В. В., Казакова, А. Е.
  
  Тонкопленочные гетероструктуры In[x]Al[y]Ga[1-x-y]As[z]Sb[1-z]/GaSb, выращенные в поле температурного градиента, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 888-896 .- Лунина_тонкопленочные
• Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
  Пащенко, А. С., Чеботарёв, С. Н., Лунин, Л. С., Чеботарев, С. Н., Лунина, М. Л.
  
  Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 581-585 Пащенко_исследование
• Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 9. - С. 1695-1700 .- Алфимова_выращивание
• Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO[2]-Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge
  Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Кравцов, А. А., Сысоев, И. А., Блинов, А. В., Пащенко, А. С.
  
  Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO[2]-Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 860-864 Лунин_влияние
• Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции
  Лозовский, В. Н., Ломов, А. А., Лунин, Л. С., Середин, Б. М., Чесноков, Ю. М.
  
  Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 297-301 Лозовский_кристаллические
• Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al[x]Ga[1-x]As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
  Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Девицкий, О. В., Сысоев, И. А.
  
  Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al[x]Ga[1-x]As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 403-408 Лунин_импульсное
• Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
  Пащенко, А. С., Чеботарёв, С. Н., Чеботарев, С. Н., Лунин, Л. С., Ирха, В. А.
  
  Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 4. - С. 553-556 Пащенко_особенности
• Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Пащенко, О. С.
  
  Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 4. - С. 523-528 .- Алфимова_особенности
• Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb, [[Текст]], Д. Л. Алфимова [и др.] 7 рис., 2 табл. // Неорганические материалы .- 2017 .- Т. 53, № 1. - С. 33-40 .-
• Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
  Алфимова, Д. Л., Чеботарёв, C. H. , Лунин, Л. С., Лунина, M. Л., Арустамян, Д. А., Казакова, A. E., Чеботарев, C. H.
  
  Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1426-1433 Алфимова_выращивание
• Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Казакова, А. Е., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, [[Текст]], Д. Л. Алфимова [и др.] 6 рис., 6 табл. // Неорганические материалы .- 2017 .- Т. 53, № 12. - С. 1245-1256 .-
• Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO[2], легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей
  Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Кравцов, А. А., Сысоев, И. А., Блинов, А. В.
  
  Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO[2], легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1253-1257 .- Лунин_синтез
• Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов
  Лунин, Л. С., Чеботарев, С. Н., Пащенко, А. С., Болобанова, Л. Н.
  
  Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов, [Текст] ил Неорганические материалы, 2012, Т.48, № 5.- С.517-522
• Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур
  Богатов, Н. М., Григорьян, Л. Р., Коваленко, А. И., Коваленко, М. С., Колоколов, Ф. А., Лунин, Л. С.
  
  Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 144-148 Богатов_влияние
• Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
  Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Алфимова, Д. Л., Пащенко, А. С., Пащенко, О. С., Богатов, Н. М.
  
  Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 648-653 Лунин_твердые