| Индекс УДК | 546 |
|
Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs [Текст] Д. Л. Алфимова [и др.] |
|
| Аннотация | В рамках модели простых растворов проведен анализ фазовых равновесий в системе In-Al-Ga-P-As. Для диапазона температур 937-1223 К рассчитаны границы существования твердого раствора InAlGaPAs, синтезированного на подложке GaAs. Добавление индия в твердый раствор AlGaPAs приводит к незначительному уменьшению скорости роста в диффузионном режиме и значительному увеличению в кинетическом режиме. Показано, что с добавлением индия в твердый раствор AlGaPAs полуширина пика кривой дифракционного отражения и фотолюминесценции уменьшается. При этом увеличивается интенсивность фотолюминесценции. Повышение концентрации индия x > 0. 3 в твердом растворе In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z] расширяет область существования, увеличивает ширину запрещенной зоны, уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, но делает их согласованными по коэффициенту термического расширения (изоэкспандными). Установлено, что с увеличением концентрации индия в твердом растворе уменьшается коэффициент распределения для P и As и повышается для Al и In. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 12. - С. 1245-1256 |
