Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | noma17_to53_no12_ss1245_ad1 |
Дата корректировки | 10:36:45 2 апреля 2018 г. |
Кодируемые данные | 180303s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
Системный контрольный номер | RUMARS-noma17_to53_no12_ss1245_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК | 546 |
Индекс ББК | 24.12 |
Таблицы для массовых библиотек | |
Алфимова, Д. Л. 070 z01710 |
|
Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs [Текст] Д. Л. Алфимова [и др.] |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | 6 рис., 6 табл. |
Библиография | Библиогр.: с. 1255-1256 (23 назв. ) |
Аннотация | В рамках модели простых растворов проведен анализ фазовых равновесий в системе In-Al-Ga-P-As. Для диапазона температур 937-1223 К рассчитаны границы существования твердого раствора InAlGaPAs, синтезированного на подложке GaAs. Добавление индия в твердый раствор AlGaPAs приводит к незначительному уменьшению скорости роста в диффузионном режиме и значительному увеличению в кинетическом режиме. Показано, что с добавлением индия в твердый раствор AlGaPAs полуширина пика кривой дифракционного отражения и фотолюминесценции уменьшается. При этом увеличивается интенсивность фотолюминесценции. Повышение концентрации индия x > 0. 3 в твердом растворе In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z] расширяет область существования, увеличивает ширину запрещенной зоны, уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, но делает их согласованными по коэффициенту термического расширения (изоэкспандными). Установлено, что с увеличением концентрации индия в твердом растворе уменьшается коэффициент распределения для P и As и повышается для Al и In. |
Химия AR-MARS Химические элементы и их соединения AR-MARS |
|
Ключевые слова |
гетероструктуры зонная перекристаллизация градиент температуры фазовые равновесия синтез твердые растворы фотолюминесценция |
Лунин, Л. С. 070 z02710 Лунина, М. Л. 070 z03710 Казакова, А. Е. 070 z04710 Пащенко, А. С. 070 z05710 Чеботарев, С. Н. 070 z06710 |
|
Российская академия наук Южный научный центр z01700 Вторичная ответственность Российская академия наук Южный научный центр z02700 Вторичная ответственность Южно-Российский государственный политехнический университет им. М. И. Платова z02700 Вторичная ответственность Российская академия наук Южный научный центр z03700 Вторичная ответственность Южно-Российский государственный политехнический университет им. М. И. Платова z04700 Вторичная ответственность Российская академия наук Южный научный центр z05700 Вторичная ответственность Российская академия наук Южный научный центр z06700 Вторичная ответственность Южно-Российский государственный политехнический университет им. М. И. Платова z06700 Вторичная ответственность |
|
ISSN | 0002-337X |
Название источника | Неорганические материалы |
Место и дата издания | 2017 |
Прочая информация | Т. 53, № 12. - С. 1245-1256 |
RU 36713090 20180303 RCR |
|
RU 36713090 20180303 |
|
RU AR-MARS 20180303 RCR |
|
RU AR-MARS 20180303 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
noma 2017 53 12 1245 1 |
|
13607 |