Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Пащенко, А. С.

Статьи. Автор - Пащенко, А. С.

• Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al[x]In[y]Ga[1-x-y]Bi[z]Sb[1-z]/GaSb
  Алфимова, Д. Л., Лунина, М. Л., Лунин, Л. С., Пащенко, А. С., Казакова, А. Е.
  
  Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al[x]In[y]Ga[1-x-y]Bi[z]Sb[1-z]/GaSb, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 7. - С. 1277-1282 .- Алфимова_влияние
• Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP выращенного на подложке GaSb
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP выращенного на подложке GaSb, [Текст] ил Неорганические материалы, 2017, № 1. з- С.33-40
• Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
  Пащенко, А. С., Чеботарёв, С. Н., Лунин, Л. С., Чеботарев, С. Н., Лунина, М. Л.
  
  Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 581-585 Пащенко_исследование
• Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 9. - С. 1695-1700 .- Алфимова_выращивание
• Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO[2]-Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge
  Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Кравцов, А. А., Сысоев, И. А., Блинов, А. В., Пащенко, А. С.
  
  Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO[2]-Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 860-864 Лунин_влияние
• Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
  Пащенко, А. С., Чеботарёв, С. Н., Чеботарев, С. Н., Лунин, Л. С., Ирха, В. А.
  
  Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 4. - С. 553-556 Пащенко_особенности
• Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Пащенко, О. С.
  
  Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 4. - С. 523-528 .- Алфимова_особенности
• Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb, [[Текст]], Д. Л. Алфимова [и др.] 7 рис., 2 табл. // Неорганические материалы .- 2017 .- Т. 53, № 1. - С. 33-40 .-
• Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs
  Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Казакова, А. Е., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
  
  Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, [[Текст]], Д. Л. Алфимова [и др.] 6 рис., 6 табл. // Неорганические материалы .- 2017 .- Т. 53, № 12. - С. 1245-1256 .-
• Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов
  Лунин, Л. С., Чеботарев, С. Н., Пащенко, А. С., Болобанова, Л. Н.
  
  Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов, [Текст] ил Неорганические материалы, 2012, Т.48, № 5.- С.517-522
• Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
  Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Алфимова, Д. Л., Пащенко, А. С., Пащенко, О. С., Богатов, Н. М.
  
  Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 648-653 Лунин_твердые