| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Предложен способ легирования в процессе роста тонких пленок ионно-лучевой кристаллизацией. На примере Si и Sb показана возможность управляемого легирования полупроводников в процессе ионно-лучевой кристаллизации. Получена калибровочная температурная зависимость скорости потока паров сурьмы в диапазоне 150-400°C. Установлено, что повышение температуры испарителя больше 200°C приводит к накоплению примеси в направлении роста слоя. Выращены слои кремния, легированные сурьмой до концентрации 10{18} см{-3}. Показано, что эффективность активации сурьмы в кремнии с увеличением температуры испарителя нелинейно уменьшается с ~ 10{0} до ~ 10{-3}. |
| Ключевые слова | легирование |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 4. - С. 553-556 |
|
| Имя макрообъекта | Пащенко_особенности |
