| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670607988 |
| Дата корректировки | 16:09:00 1 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пащенко, А. С. | |
|
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния Электронный ресурс |
|
| Features the doping antimony during the ion-beam crystallization of silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | Предложен способ легирования в процессе роста тонких пленок ионно-лучевой кристаллизацией. На примере Si и Sb показана возможность управляемого легирования полупроводников в процессе ионно-лучевой кристаллизации. Получена калибровочная температурная зависимость скорости потока паров сурьмы в диапазоне 150-400°C. Установлено, что повышение температуры испарителя больше 200°C приводит к накоплению примеси в направлении роста слоя. Выращены слои кремния, легированные сурьмой до концентрации 10{18} см{-3}. Показано, что эффективность активации сурьмы в кремнии с увеличением температуры испарителя нелинейно уменьшается с ~ 10{0} до ~ 10{-3}. |
| Чеботарёв, С. Н. | |
| Ключевые слова | легирование |
|
ионно-лучевая кристаллизация кремний полупроводники полупроводниковые материалы |
|
|
Чеботарев, С. Н. Лунин, Л. С. Ирха, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 4. - С. 553-556 |
|
| Имя макрообъекта | Пащенко_особенности |
| Тип документа | b |
