| Индекс УДК | 546 |
|
Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb [Текст] Д. Л. Алфимова [и др.] |
|
| Аннотация | В рамках модели простых растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga-In-Sb-As-P-Bi. Для диапазона температур ~773-873 K рассчитаны границы существования твердого раствора GaInAsSbPBi и определены термодинамические ограничения, характеризующие его выращивание. На основе проведенного анализа методом зонной перекристаллизации градиентом температуры выращен твердый раствор GaInAsSbPBi на подложке GaSb. Показано, что введение висмута в твердый раствор GaInAsSbP расширяет область его существования, уменьшает ширину запрещенной зоны, увеличивает относительное рассогласование слоя и подложки при концентрации Bi > 0. 3 ат. %, но уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур GaInAsSbPBi/GaSb. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 1. - С. 33-40 |
