| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al[x]Ga[1-x]As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al[0.3]Ga[0.7]As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al[0.3]Ga[0.7]As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n- перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. |
| Ключевые слова | импульсное лазерное напыление |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 403-408 |
|
| Имя макрообъекта | Лунин_импульсное |
