| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679145959 |
| Дата корректировки | 11:45:15 9 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лунин, Л. С. | |
|
Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al[x]Ga[1-x]As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей Электронный ресурс |
|
| Pulsed laser deposition of Al[x]Ga[1-x]As and GaP thin films on Si substrates for photovoltaic applications | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al[0.3]Ga[0.7]As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al[0.3]Ga[0.7]As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n- перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. |
| Ключевые слова | импульсное лазерное напыление |
|
тонкие пленки подложки Si кремний кремниевые подложки фотопреобразователи гетероструктуры комбинационное рассеяние света кремниевые фотопреобразователи |
|
|
Лунина, М. Л. Девицкий, О. В. Сысоев, И. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 403-408 |
|
| Имя макрообъекта | Лунин_импульсное |
| Тип документа | b |
