-
Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Кудрин, А.В., Калентьева, И. Л., Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 351-358
Звонков_исследование
-
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Калентьева, И. Л., Нежданов, А. В., Парафин, А. Е., Хомицкий, Д. В., Антонов, И. Н.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343
Вихрова_импульсное
-
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В.
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 204-207 .-
Калентьева_арсенид
-
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472
Калентьева_особенности
-
Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Антонов, И. Н.
Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1286-1290
Калентьева_влияние
-
Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As
Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В. , Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 3. - С. 373-380 .-
Здоровейщев_диодные
-
Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Дёмина, П. Б.
Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 11. - С. 2236-2239 .-
Кудрин_детекторы
-
Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В.
Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 11. - С. 2196-2199 .-
Вихрова_излучающие
-
Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Здоровейщев, А. В. , Дёмина, П. Б., Вихрова, О. В., Калентьева, И. Л., Ведь, М. В.
Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 11. - С. 2203-2205 .-
Кудрин_фоторезистивный
-
Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г., Никитов, С. А., Садовников, А. В.
Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 9. - С. 1694-1699 .-
Калентьева_модифицирование
-
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дроздов, М. Н.
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1490-1496 .-
Калентьева_влияние