-
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Вороненков, В. В., Горбунов, Р. И., Вирко, М. В., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Воронцов-Вельяминов, П. Н., Шеремет, И. А., Шретер, Ю. Г.
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1202-1212 .-
Бочкарева_прыжковая
-
Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов
Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Шретер, Ю. Г.
Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 796-803
Бочкарева_влияние
-
Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
Вороненков, В. В., Бочкарёва, Н. И., Вирко, М. В., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Горбунов, Р. И., Бочкарева, Н. И., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Шретер, Ю. Г.
Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 116-123
Вороненков_отделение
-
Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках
Вирко, М. В., Бочкарёва, Н. И., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Вороненков, В. В., Горбунов, Р. И., Бочкарева, Н. И., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Шретер, Ю. Г.
Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 711-716 .-
Вирко_лазерное
-
Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода
Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Шеремет, И. А., Шретер, Ю. Г.
Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1387-1394 .-
Бочкарева_падение
-
Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Иванов, А. М., Клочков, А. В., Шретер, Ю. Г.
Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 104-110
Бочкарева_токовый
