| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Сильное поглощение излучения СО[2]-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация n-GaN, составила 1.6 ± 0.5 Дж/см{2}. Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. Образец вертикального диода Шоттки с величиной плотности прямого тока 100А/см{2} при напряжении 2B и максимальным обратным напряжением 150 В изготовлен на основе отделенной пленки n-GaN толщиной 9 мкм. |
| Ключевые слова | слабо легированные пленки |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 116-123 |
|
| Имя макрообъекта | Вороненков_отделение |
