| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов Электронный ресурс |
|
| Ключевые слова | светодиоды |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 796-803 |
|
| Имя макрообъекта | Бочкарева_влияние |
