| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688225991 |
| Дата корректировки | 13:59:57 22 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46055.8790 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бочкарева, Н. И. | |
|
Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов Электронный ресурс |
|
| Effect of deep centers on carrier confinement in InGaN/GaN quantum wells and efficiency of light-emitting diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Туннелирование электронов с участием глубоких центров в светодиодных p-n-структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN снижает эффективную высоту инжекционного барьера, но приводит к зависимости эффективности излучения от плотности и энергетического спектра дефектов в GaN. При прыжковой проводимости через область пространственного заряда основная часть прямого напряжения падает у границы с квантовой ямой, где плотность глубоких состояний на квазиуровне Ферми наименьшая. В результате у границы происходит спрямление изгиба зон, а с ростом тока и изменение направления электрического поля, что приводит к ослаблению конфайнмента дырок, их безызлучательной рекомбинации в n-барьере и падению эффективности. Низкая эффективность зеленых GaN-светодиодов связывается с доминированием глубоких центров и недостаточной плотностью мелких центров в энергетическом спектре дефектов в барьерных слоях вблизи границ с квантовой ямой. Предложенная модель подтверждается cтупенчатым характером экспериментальных зависимостей тока, емкости и эффективности зеленых и синих светодиодов от прямого смещения, отражающиx вклад центров окраски, ответственных за полосы дефектной фотолюминесценции в GaN. |
| Служебное примечание | Бочкарёва, Н. И. |
| Ключевые слова | светодиоды |
|
светодиодные p-n-структуры туннелирование электронов квантовые ямы InGaN/GaN нитрид индия-галлия нитрид галлия |
|
| Шретер, Ю. Г. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 796-803 |
|
| Имя макрообъекта | Бочкарева_влияние |
| Тип документа | b |
