Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Шретер, Ю. Г.

Статьи. Автор - Шретер, Ю. Г.

• Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
  Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Вороненков, В. В., Горбунов, Р. И., Вирко, М. В., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Воронцов-Вельяминов, П. Н., Шеремет, И. А., Шретер, Ю. Г.
  
  Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 9. - С. 1202-1212 .- Бочкарева_прыжковая
• Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов
  Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Шретер, Ю. Г.
  
  Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 796-803 Бочкарева_влияние
• Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
  Вороненков, В. В., Бочкарёва, Н. И., Вирко, М. В., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Горбунов, Р. И., Бочкарева, Н. И., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Шретер, Ю. Г.
  
  Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 116-123 Вороненков_отделение
• Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках
  Вирко, М. В., Бочкарёва, Н. И., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Вороненков, В. В., Горбунов, Р. И., Бочкарева, Н. И., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Шретер, Ю. Г.
  
  Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 711-716 .- Вирко_лазерное
• Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода
  Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Шеремет, И. А., Шретер, Ю. Г.
  
  Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1387-1394 .- Бочкарева_падение
• Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
  Бочкарева, Н. И., Бочкарёва, Н. И., Иванов, А. М., Клочков, А. В., Шретер, Ю. Г.
  
  Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 104-110 Бочкарева_токовый