Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках
Поиск

Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках

Авторы: Вирко, М. В. Бочкарёва, Н. И. Коготков, В. С. Леонидов, А. А. Вороненков, В. В. Горбунов, Р. И. Бочкарева, Н. И. Смирнов, А. Н. Давыдов, В. Ю. Шретер, Ю. Г.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках
Электронный ресурс
Аннотация Рассмотрены физические и технологические основы метода отделения слабо и умеренно легированных пленок n-GaN от сильно легированных подложек n{+}-GaN. В основе метода отделения лежит эффект поглощения лазерного ИК излучения на свободных носителях заряда, которое значительно сильнее в n{+}-GaN пленках.
Ключевые слова нитрид галлия
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 5. - С. 711-716
Имя макрообъекта Вирко_лазерное