| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670687274 |
| Дата корректировки | 14:11:01 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Вирко, М. В. | |
|
Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n{+}-GaN подложках Электронный ресурс |
|
| Laser slicing of n-GaN layers from substrates based on strong absorption of IR-radiation by free charge carriers in n{+}-GaN substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Рассмотрены физические и технологические основы метода отделения слабо и умеренно легированных пленок n-GaN от сильно легированных подложек n{+}-GaN. В основе метода отделения лежит эффект поглощения лазерного ИК излучения на свободных носителях заряда, которое значительно сильнее в n{+}-GaN пленках. |
| Бочкарёва, Н. И. | |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
|
светодиоды лазерные диоды СВЧ-транзисторы диоды Шоттки легированные подложки полупроводниковые приборы инфракрасное излучение |
|
|
Коготков, В. С. Леонидов, А. А. Вороненков, В. В. Ребане, Ю. Т. Зубрилов, А. С. Горбунов, Р. И. Латышев, Ф. Е. Бочкарева, Н. И. Леликов, Ю. С. Тархин, Д. В. Смирнов, А. Н. Давыдов, В. Ю. Шретер, Ю. Г. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 711-716 |
| Имя макрообъекта | Вирко_лазерное |
| Тип документа | b |
