Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
Поиск

Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов

Авторы: Бочкарева, Н. И. Бочкарёва, Н. И. Иванов, А. М. Клочков, А. В. Шретер, Ю. Г.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
Электронный ресурс
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 1. - С. 104-110
Имя макрообъекта Бочкарева_токовый