Поиск

Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов

Авторы: Бочкарева, Н. И. Бочкарёва, Н. И. Иванов, А. М. Клочков, А. В. Шретер, Ю. Г.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/694092334
Дата корректировки 11:26:50 29 декабря 2021 г.
10.21883/FTP.2019.01.46996.8847
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Бочкарева, Н. И.
Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
Электронный ресурс
Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes due to defect-related tunneling of carriers from InGaN/GaN quantum well
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 25 назв.
Аннотация Проведены измерения токовых зависимостей спектральной плотности токового шума и квантовой эффективности в зеленых и синих светодиодах с квантовыми ямами InGaN/GaN. Показано, что уровень шума сильно растет в области больших токов, при которых наблюдается падение квантовой эффективности. Механизм формирования токового шума связывается с прыжковым транспортом по состояниям центров окраски в GaN через n-барьер квантовой ямы InGaN/GaN. Источником шума является прыжковое сопротивление области пространственного заряда, ограничивающее ток термоактивированных электронов в квантовую яму. Падение эффективности и рост уровня шума связываются с изменением направления электрического поля вблизи квантовой ямы при высоких уровнях инжекции и увеличением туннельной утечки дырок из квантовой ямы. Показано, что экспериментальные частотные спектры токового шума, имеющие при рабочих токах вид лоренцевского спектра, связаны с частотой перескока между глубокими центрами вблизи квантовой ямы InGaN/GaN имак свелловской релаксацией в область пространственного заряда.
Служебное примечание Бочкарёва, Н. И.
светодиоды
токовый шум
квантовая эффективность
туннелирование носителей
квантовые ямы
прыжковый транспорт
прыжковое сопротивление
нитрид галлия
Иванов, А. М.
Клочков, А. В.
Шретер, Ю. Г.
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 1. - С. 104-110
Имя макрообъекта Бочкарева_токовый
Тип документа b