-
Эффективная пороговая энергия ударной ионизации в глубоко субмикронном МОП-транзисторе с длиной канала 50 нм
Сперанский, Д. С., Борздов, А. В., Борздов, В. М., Комаров, Ф. Ф.
Эффективная пороговая энергия ударной ионизации в глубоко субмикронном МОП-транзисторе с длиной канала 50 нм, [Текст]
Доклады Национальной академии наук Беларуси, 2011, Т. 55, № 4. - С. 45-48
-
Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых p{+}-n-n{+} - и n{+}-p-p{+}-структурах
Мусаев, А. М.
Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых p{+}-n-n{+} - и n{+}-p-p{+}-структурах, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 470-473 .-
Мусаев_ударная
-
Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях
Иванов, М. С., Подольская, Н. И., Родин, П. Б.
Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 275-279
Иванов_двойная
-
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Соболева, О. С., Юферев, В. С., Головин, В. С., Гаврина, П. С., Романович, Д. Н., Мирошников, И. В., Пихтин, Н. А.
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 452-457
Слипченко_исследования
-
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Соболева, О. С., Головин, В. С., Юферев, В. С., Гаврина, П. С., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А.
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs , [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 478-483
Соболева_моделирование
-
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор)
Михайлова, М. П., Копьёв, П. С. , Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Калинина, К. В., Яковлев, Ю. П., Копьев, П. С.
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор), [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 12. - С. 1267-1288 .-
Михайлова_излучательная
-
Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров
Гусев, А. И., Любутин, С. К., Рукин, С. Н., Цыранов, С. Н.
Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 680-688
Гусев_исследование
-
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Электрический пробой в чистом n- и p-Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 291-294
Банная_электрический
-
Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых n{+}-n-n{+}-структур
Подольская, Н. И., Родин, П. Б.
Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых n{+}-n-n{+}-структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 401-406
Подольская_численное