-
Разработка шкалы качества вин пересыщенных диоксидом углерода на основе характеристики их игристых свойств и пенообразующей способности
Мишин, М. В., Таланян, О. Р., Бирюков, А. П., Катрюхин, Б. А.
Разработка шкалы качества вин пересыщенных диоксидом углерода на основе характеристики их игристых свойств и пенообразующей способности, [[Текст]], М. В. Мишин [и др.]
// Известия вузов. Пищевая технология .-
2017 .-
№ 4. - С. 98-101 .-
-
Влияние температуры и срока хранения виноматериалов на их пенообразующую способность
Мишин, М. В., Орлов, И. Е., Таланян, О. Р.
Влияние температуры и срока хранения виноматериалов на их пенообразующую способность, [Текст]
Пищевая технология. Изв. вузов, 2011, № 4. - С. 104-105
-
Синтез наночастиц диоксида кремния в низкотемпературной плазме атмосферного давления
Кретушева, И. В., Мишин, М. В., Александров, С. Е.
Синтез наночастиц диоксида кремния в низкотемпературной плазме атмосферного давления, [Текст]
ил.
Журнал прикладной химии, 2014, Т. 87, № 11. - С. 1537-1542
-
Синтез наночастиц диоксида кремния в низкотемпературной плазме, создаваемой в среде гелия и аргона при атмосферном давлении
Кретушева, И. В., Мишин, М. В., Александров, С. Е.
Синтез наночастиц диоксида кремния в низкотемпературной плазме, создаваемой в среде гелия и аргона при атмосферном давлении, [Текст]
ил.
Журнал прикладной химии, 2015, № 11. - С. 1534-1540
-
Исследование процессов ферментативного созревания тиража шампанского при термических обработках
Дроздова, Т. А., Мишин, М. В., Таланян, О. Р.
Исследование процессов ферментативного созревания тиража шампанского при термических обработках, [[Текст]], Т. А. Дроздова, М. В. Мишин, О. Р. Таланян
// Известия вузов. Пищевая технология .-
2017 .-
№ 5/6. - С. 81-83 .-
-
Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
Тужилкин, М. С., Карасёв, П. А., Беспалова, П. Г., Мишин, М. В., Колесников, И. Е., Карабешкин, К. В., Карасев, П. А., Титов, А. И.
Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 90-96
Тужилкин_формирование