-
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Охапкин, А. И., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Юнин, П. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Королев, С. А., Дроздов, М. Н., Шашкин, В. И.
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 865-867
Охапкин_формирование
-
Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
Юнин, П. А., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Охапкин, А. И., Дроздов, М. Н., Королев, С. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Дроздов, Ю. Н., Шашкин, В. И.
Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 855-858
Юнин_модификация
-
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
Дроздов, Ю. Н., Краёв, С. А., Краев, С. А., Охапкин, А. И., Данильцев, В. М., Скороходов, Е. В.
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 958-961
Дроздов_особенности
-
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном
Охапкин, А. И., Королев, C. А., Королёв, C. А., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Хрыкин, О. И., Шашкин, В. И.
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном , [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506
Охапкин_низкотемпературное
-
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl
Охапкин, А. И., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Скороходов, Е. В., Шашкин, В. И.
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1362-1365
Охапкин_плазмохимическое
-
Управление физической подготовкой военнослужащих на основе оперативного контроля
Лулаков, В. Ф., Краев, С. А., Афанасьева, И. А., Дальский, Д. Д.
Управление физической подготовкой военнослужащих на основе оперативного контроля, Ф. В. Лулаков, С. А. Краев, И. А. Афанасьева, Д. Д. Дальский
ил.
// Теория и практика физической культуры .-
2022 .-
№ 2. - С. 41-42 .-
-
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Данильцев, В. М., Краёв, С. А., Демидов, Е. В., Дроздов, М. Н., Дроздов, Ю. Н., Краев, С. А., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И., Юнин, П. А.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 .-
Данильцев_сильно
