| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~ 10{21} см{-3} без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2 · 10{19} см{-3}) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7 · 10{-6} Ом · см{2}) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2 · 10{20} см{-3}. |
| Ключевые слова | диизопропилтеллурид |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 |
| Имя макрообъекта | Данильцев_сильно |
