| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Получены пленки SiN[x] на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. |
| Ключевые слова | индуктивно-связанная плазма |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506 |
|
| Имя макрообъекта | Охапкин_низкотемпературное |
