Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Поиск

Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку

Авторы: Охапкин, А. И. Королёв, С. А. Краёв, С. А. Юнин, П. А. Архипова, Е. А. Краев, С. А. Королев, С. А. Дроздов, М. Н. Шашкин, В. И.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Электронный ресурс
Аннотация Описан процесс изготовления омических контактов к слою алмазоподобного углерода (DLC) при осаждении на него последовательно металлических слоев Au/Mo/Ti. Контакты имели хорошие механи- ческие и адгезионные свойства. Их удельное контактное сопротивление варьировалось от 1.4 · 10{-4} до 6.4 · 10{-5} Ом · см{2} в зависимости от толщины слоя DLC. Изучена температурная зависимость слоевого сопротивления пленок. Показано, что тонкие слои DLC обеспечивают лучшие характеристики омического контакта из-за их более равномерной графитизации в процессе термического отжига.
Ключевые слова омических контакты
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 9. - С. 865-867
Имя макрообъекта Охапкин_формирование