Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Дроздов, М. Н.

Статьи. Автор - Дроздов, М. Н.

• Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
  Охапкин, А. И., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Юнин, П. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Королев, С. А., Дроздов, М. Н., Шашкин, В. И.
  
  Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 865-867 Охапкин_формирование
• Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
  Юнин, П. А., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Охапкин, А. И., Дроздов, М. Н., Королев, С. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Дроздов, Ю. Н., Шашкин, В. И.
  
  Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 855-858 Юнин_модификация
• Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
  
  Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806 Звонков_формирование
• Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
  Данилов, Ю. А., Ведь, М. В., Вихрова, О. В., Дроздов, М. Н., Звонков, Б. Н. , Ковальский, В. А., Крюков, Р. Н., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Юнин, П. А.
  
  Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 868-872 Данилов_углеродные
• Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
  Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
  
  Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .- Деточенко_эпитаксиально
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном
  Охапкин, А. И., Королев, C. А., Королёв, C. А., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Хрыкин, О. И., Шашкин, В. И.
  
  Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506 Охапкин_низкотемпературное
• Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl
  Охапкин, А. И., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Скороходов, Е. В., Шашкин, В. И.
  
  Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1362-1365 Охапкин_плазмохимическое
• Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
  Юрасов, Д. В., Дроздов, М. Н., Шмагин, В. Б., Новиков, А. В.
  
  Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1611-1615 Юрасов_исследование
• Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н.
  
  Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 .- Алешкин_стимулированное
• Ионно-плазменная обработка контактов герконов цифровых приборов
  Толстогузов, А. Б., Дроздов, М. Н., Зельцер, И. А., Карен, А. А., Орланду, М. Н., Дуарте, Т.
  
  Ионно-плазменная обработка контактов герконов цифровых приборов, [Текст] ил. КИП и автоматика: обслуживание и ремонт, 2014, № 8. - С. 56-60
• Получение эпитаксиальных слоев легированного мышьяком теллурида кадмия MOCVD-методом
  Чилясов, А. В., Моисеев, А. Н., Евстигнеев, В. С., Степанов, Б. С., Дроздов, М. Н.
  
  Получение эпитаксиальных слоев легированного мышьяком теллурида кадмия MOCVD-методом, [Текст] ил. Неорганические материалы, 2016, Т. 52, № 12. - С. 1284-1289
• Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
  Данильцев, В. М., Краёв, С. А., Демидов, Е. В., Дроздов, М. Н., Дроздов, Ю. Н., Краев, С. А., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И., Юнин, П. А.
  
  Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 .- Данильцев_сильно
• Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дроздов, М. Н.
  
  Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1490-1496 .- Калентьева_влияние
• Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
  Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
  
  Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .- Лобанов_эпитаксиальные