| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695750728 |
| Дата корректировки | 16:12:34 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.03.47298.8997 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Володин, В. А. | |
|
Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Аннотация | Исследованы процессы кристаллизации плeнок аморфного германия и многослойных наноструктур германий/кремний под действием наносекундного (70 нс) излучения рубинового лазера (длина волны излучения лямбда = 694 нм). Образцы были выращены на кремниевых и стеклянных подложках методом плазмохимического осаждения. Импульсный лазерный отжиг образцов проводился в диапазоне плотности энергии в импульсе E[p] от 0.07 до 0.8Дж/см{2}. Структура плeнок после отжига определялась из анализа данных сканирующей электронной микроскопии и спектров комбинационного рассеяния света. Установлено, что после отжига плeнки полностью кристаллизованы, при этом содержат области крупных кристаллических зeрен (> 100 нм), их доля растeт с увеличением E[p] и достигает 40% по площади. Из анализа положения пиков комбинационного рассеяния света предположено, что кристаллические зeрна с размерами > 100 нм либо содержат структурные дефекты, либо в них присутствуют деформации растяжения. Корреляционная длина оптических колебаний, установленная из модели локализации фононов, растeт с увеличением E[p] от 5 до 8 нм. Импульсный лазерный отжиг многослойных структур Ge(10 нм)/Si(5нм) приводят к частичному перемешиванию слоeв с образованием твeрдых растворов Ge-Si. |
| Ключевые слова | импульсные лазерные отжиги |
|
аморфные полупроводники германий кристаллизация плeнок импульсная лазерная кристаллизация комбинационное рассеяние света наносекундное лазерное излучение лазерное излучение |
|
|
Кривякин, Г. К. Ивлев, Г. Д. Прокопьев, С. Л. Гусакова, С. В. Попов, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 423-429 |
|
| Имя макрообъекта | Володин_кристаллизация |
| Тип документа | b |
