Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Кривякин, Г. К.

Статьи. Автор - Кривякин, Г. К.

• Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO[x]N[y] при отжиге под высоким давлением
  Тысченко, И. Е., Кривякин, Г. К., Володин, В. А.
  
  Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO[x]N[y] при отжиге под высоким давлением, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 280-284 Тысченко_ионный
• Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
  Смагина, Ж. В., Зиновьев, В. А., Кривякин, Г. К., Родякина, Е. Е., Кучинская, П. А., Фомин, Б. И., Яблонский, А. Н. , Степихова, М. В., Новиков, А. В., Двуреченский, А. В.
  
  Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1028-1033 Смагина_исследование
• Формирование и исследование p-i-n-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в i-области
  Кривякин, Г. К., Володин, В. А., Шкляев, А. А. , Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchlikova, T. H., Stuchlik, J.
  
  Формирование и исследование p-i-n-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в i-области, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1420-1425 Кривякин_формирование
• Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения
  Володин, В. А., Кривякин, Г. К., Ивлев, Г. Д., Прокопьев, С. Л., Гусакова, С. В., Попов, А. А.
  
  Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 423-429 Володин_кристаллизация
• Оптические свойства p-i-n-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов
  Кривякин, Г. К., Володин, В. А., Кочубей, С. А., Камаев, Г. Н., Purkrt, A., Remeso, Z., Fajgar, R., Stuchlikova, T. H., Stuchliko, J.
  
  Оптические свойства p-i-n-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 7. - С. 952-957 .- Кривякин_оптические
• Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSi[x]O[y]
  Гамбарян, М. П., Кривякин, Г. К., Черкова, С. Г., Stoffel, M., Rinnert, H., Vergnat, M., Володин, В. А.
  
  Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSi[x]O[y], [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 3. - С. 434-441 .- Гамбарян_проявление
• Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge : SiO[2]
  Володин, В. А., Zhang Rui, Кривякин, Г. К., Антоненко, А. Х., Stoffel, M., Rinnert, H., Vergnat, M.
  
  Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge : SiO[2], [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1056-1065 Володин_формирование
• О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия
  Кривякин, Г. К., Володин, В. А., Камаев, Г. Н., Попов, А. А.
  
  О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 643-647 Кривякин_о влиянии