-
Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения
Володин, В. А., Кривякин, Г. К., Ивлев, Г. Д., Прокопьев, С. Л., Гусакова, С. В., Попов, А. А.
Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 423-429
Володин_кристаллизация
-
Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки
Лобанок, М. В., Прокопьев, С. Л., Моховиков, М. А., Королик, О. В., Гайдук, П. И.
Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки, М. В. Лобанок, С. Л. Прокопьев, М. А. Моховиков [и др.]
2022 .-
2 рис.
-
Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге
Садовский, П. К., Челядинский, А. Р., Оджаев, В. Б., Углов, В. В., Гайдук, П. И., Прокопьев, С. Л., Шейников, Д. П.
Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге, [Текст]
ил.
Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2015, № 1. - С. 55-59
