| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694188458 |
| Дата корректировки | 14:16:51 30 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.47001.8947 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Швец, В. А. | |
|
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe Электронный ресурс |
|
| Ellipsometric method for measuring of the CdTe buffer layer temperature in molecular beam epitaxy of CdHgTe | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Представлена разработанная эллипсометрическая методика бесконтактного измерения in situ температуры буферного слоя CdTe. Методика основана на температурной зависимости энергетического положения критических точек CdTe и предназначена для определения стартовой температуры поверхности роста перед началом эпитаксии соединения кадмий-ртуть-теллур. Предложен экспрессный метод определения положения критических точек по спектрам эллипсометрического параметра. Проведена серия калибровочных экспериментов, в результате которых получены зависимости положения критических точек от температуры. Оценки и эксперимент показывают, что точность измерения температуры составляет ±3°C. |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
эллипсометрические параметры теллурид кадмия гетероструктуры кадмий ртуть теллур |
|
|
Азаров, И. А. Марин, Д. В. Якушев, М. В. Рыхлицкий, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 137-142 |
|
| Имя макрообъекта | Швец_эллипсометрический |
| Тип документа | b |
