-
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
Швец, В. А., Азаров, И. А. , Марин, Д. В., Якушев, М. В., Рыхлицкий, С. В.
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 137-142
Швец_эллипсометрический
-
Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения
Швец, В. А., Марин, Д. В., Якушев, М. В., Рыхлицкий, С. В.
Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения, В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий
1 файл (491 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 9. - С. 1213-1218 .-
-
Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg[1-x]Cd[x]Te и определение состава соединения
Швец, В. А., Марин, Д. В., Ремесник, В. Г., Азаров, И. А. , Якушев, М. В., Рыхлицкий, С. В.
Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg[1-x]Cd[x]Te и определение состава соединения, [Электронный ресурс]
ил.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 12. - С. 1815-1820
Швец_параметрическая
-
Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
Варавин, В. С., Марин, Д. В., Якушев, М. В.
Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 4. - С. 625-629 .-
Варавин_электрофизические
-
Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
Мынбаев, К. Д. , Заблоцкий, С. В., Шиляев, А. В., Баженов, Н. Л., Якушев, М. В., Марин, Д. В., Варавин, В. С., Дворецкий, С. А.
Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 208-211 .-
Мынбаев_дефекты
-
Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Швец, В. А., Марин, Д. В., Якушев, М. В., Рыхлицкий, С. В.
Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий
граф., табл.
// Оптика и спектроскопия .-
2021 .-
Т. 129, вып. 1. - С. 33-40 .-
-
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
Варавин, В. С., Васильев, В. В., Дворецкий, С. А. , Ковчавцев, А. П., Марин, Д. В., Сабинина, И. В., Сидоров, Ю. Г., Сидоров, Г. Ю., Царенко, А. В., Якушев, М. В.
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1652-1656 .-
Варавин_гетероструктуры
