| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Приведены результаты исследования параметров многослойных гетероструктур Cd[x]Hg[1-x]Te для фотоприемников диапазона длин волн до пяти микрометров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках. Методом C-V-характеристик исследованы пассивирующие свойства тонких слоев CdTe на поверхности таких структур. Исследованы температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в фотопоглощающем слое после роста и после отжигов. Фотодиоды p{+}-n-типа были изготовлены ионной имплантацией мышьяка в слои n-типа проводимости, легированные In с концентрацией (1-5) · 10{15} см{-3}. Измерены температурные зависимости обратных токов при нескольких напряжениях смещения, которые оказались почти на 2 порядка меньше, чем у n{+}-p-диодов. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1652-1656 |
| Имя макрообъекта | Варавин_гетероструктуры |
