| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675339751 |
| Дата корректировки | 11:07:53 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Варавин, В. С. | |
|
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах Электронный ресурс |
|
| CdHgTe heterostructures for a new generation of infrared photodetectors operating at elevated temperatures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты исследования параметров многослойных гетероструктур Cd[x]Hg[1-x]Te для фотоприемников диапазона длин волн до пяти микрометров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках. Методом C-V-характеристик исследованы пассивирующие свойства тонких слоев CdTe на поверхности таких структур. Исследованы температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в фотопоглощающем слое после роста и после отжигов. Фотодиоды p{+}-n-типа были изготовлены ионной имплантацией мышьяка в слои n-типа проводимости, легированные In с концентрацией (1-5) · 10{15} см{-3}. Измерены температурные зависимости обратных токов при нескольких напряжениях смещения, которые оказались почти на 2 порядка меньше, чем у n{+}-p-диодов. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
молекулярно-лучевая эпитаксия фотоприемные устройства узкозонные полупроводниковые твердые растворы теллурид кадмия и ртути широкозонные полупроводники полупроводники инфракрасные фотоприемники |
|
|
Васильев, В. В. Гузев, А. А. Дворецкий, С. А. Ковчавцев, А. П. Марин, Д. В. Сабинина, И. В. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Царенко, А. В. Якушев, М. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1652-1656 |
| Имя макрообъекта | Варавин_гетероструктуры |
| Тип документа | b |
