-
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
Швец, В. А., Азаров, И. А. , Марин, Д. В., Якушев, М. В., Рыхлицкий, С. В.
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 137-142
Швец_эллипсометрический
-
Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
Астанкова, К. Н., Кожухов, А. С., Азаров, И. А. , Горохов, Е. Б., Щеглов, Д. В., Латышев, А. В.
Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 4. - С. 696-700 .-
Астанкова_исследование
-
Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg[1-x]Cd[x]Te и определение состава соединения
Швец, В. А., Марин, Д. В., Ремесник, В. Г., Азаров, И. А. , Якушев, М. В., Рыхлицкий, С. В.
Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg[1-x]Cd[x]Te и определение состава соединения, [Электронный ресурс]
ил.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 12. - С. 1815-1820
Швец_параметрическая
-
О структуре тонких пленок монооксида германия
Астанкова, К. Н., Володин, В. А., Азаров, И. А.
О структуре тонких пленок монооксида германия, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1296-1301
Астанкова_о структуре
