| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691248809 |
| Дата корректировки | 13:38:14 26 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.13.46880.8926 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хвостиков, В. П. | |
|
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с засветкой со стороны подложки. Рассмотрены варианты просветляющих покрытий с минимумом отражения при длинe волны лямбда = 1064 нм, а также особенности монтажа чипов с использованием паяльных паст с различающимися температурами плавления. В условиях равномерного облучения для мощности 1.2 Вт на фотопреобразователях площадью 3.5 * 3.5мм{2} получен кпд 34.5% (лямбда = 1064 нм). |
| Лёвин, Р. В. | |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
|
лазерное излучение газофазная эпитаксия гетероструктуры фотопреобразователи |
|
|
Сорокина, С. В. Потапович, Н. С. Левин, Р. В. Маричев, А. E. Тимошина, Н. Х. Пушный, Б. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1641-1646 |
|
| Имя макрообъекта | Хвостиков_фотоэлектрические |
| Тип документа | b |
