| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690902338 |
| Дата корректировки | 13:24:59 22 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46769.8903 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования электротеплового пробоя в высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодах c толщиной n[0]-базы 7.5 мкм, концентрацией доноров 8.0 · 10{15} см{-3} и площадью 4.9 · 10{-4} см{2}. Устойчивость диодов к лавинному пробою охарактеризована максимальной энергией одиночного импульса лавинного тока, которая может быть рассеяна диодом до того, как происходит его катастрофический отказ (деструкция). При длительности импульса ~ 1 мкс максимальная энергия составляет 1.4 мДж (2.9Дж/см{2}). Показано, что деструкция диодов вызвана локальным перегревом структуры диода до температуры около 1600 K, при которой концентрация собственных носителей становится больше концентрации легирующих доноров в блокирующей n[0]-базе. |
| Ключевые слова | высоковольтные диоды |
|
полупроводниковые диоды диоды лавинный пробой электротепловой пробой |
|
|
Самсонова, Т. П. Потапов, А. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1527-1531 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_устойчивость |
| Тип документа | b |
