| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690477958 |
| Дата корректировки | 15:28:53 17 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46588.10 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Цырлин, Г. Э. | |
|
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния Электронный ресурс |
|
| Phosphorus-based nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа ”вставка InAsP, внедренная в InP нитевидный нанокристалл“, выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Установлено, что возможно получение практически 100% когерентных нитевидных нанокристаллов с поверхностной плотностью, варьируемой в широком интервале, и установлена взаимосвязь между структурными и оптическими свойствами выращенных нитевидных нанокристаллов. Показано, что исследуемые нитевидные нанокристаллы являются чистыми с точки зрения кристаллографической фазы (вюрцит). Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений A{III}B{V} и кремния. |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
нанокристаллы фосфидные соединения молекулярно-пучковая эпитаксия поверхность Si кремний полупроводники |
|
|
Резник, Р. Р. Самсоненко, Ю. Б. Хребтов, А. И. Котляр, К. П. Илькив, И. В. Сошников, И. П. Кириленко, Д. А. Крыжановская, Н. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1304-1307 |
|
| Имя макрообъекта | Цырлин_нитевидные |
| Тип документа | b |
