| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689940584 |
| Дата корректировки | 10:16:45 11 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46451.8878 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Минтаиров, М. А. | |
|
Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности Электронный ресурс |
|
| Recombination in GaAs p-i-n-structures with InGaAs quantum-size objects: modeling and regularities | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Экспериментально и теоретически исследованы фотовольтаические структуры на основе GaAs p-i-n-перехода, содержащие в области пространственного заряда различное количество слоев In[0.4]Ga[0.6]As, образующих квантово-размерные объекты. Для всех структур были проанализированы зависимости напряжения холостого хода от кратности солнечного излучения. Показано, что введение квантовых объектов приводит к доминированию рекомбинации в них над рекомбинацией в матрице, что проявляется в падении напряжения холостого хода. Увеличение количества слоев In[0.4]Ga[0.6]As приводит к пропорциональному увеличению темпа рекомбинации, что выражается в пропорциональном росте тока "насыщения" и соответствует предложенной в работе модели. |
|
фотовольтаических p-i-n-структуры квантово-размерные объекты полупроводниковые структуры квантовые ямы арсенид галлия GaAs p-i-n-структуры |
|
|
Евстропов, В. В. Минтаиров, С. А. Салий, Р. А. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1126-1130 |
|
| Имя макрообъекта | Минтаиров_рекомбинация |
| Тип документа | b |
