| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689939635 |
| Дата корректировки | 10:01:04 11 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46452.8879 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Минтаиров, С. А. | |
|
Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs Электронный ресурс |
|
| Multilayer InGaAs quantum well-dots nanostructures in GaAs-based photo converters | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Исследованы GaAs-фотопреобразователи, содержащие гетероструктуры квантовые яма-точки (КЯТ), которые по своим свойствам являются промежуточными между квантовыми ямами и квантовыми точками. КЯТ были получены осаждением In0.4Ga[0.6]As номинальной толщиной 8 монослоев методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и представляют собой плотный массив локализующих носители в трех направлениях упругонапряженных островков, образованных локальным увеличением толщины слоя InGaAs и(или) концентрации индия в нем. Обнаружено наличие двух уровней размерного квантования различной природы в структурах с КЯТ, которые проявляются на спектральных характеристиках GaAs-фотопреобразователей. Коротковолновый спектральный пик с максимумом в области 935 нм связан с поглощением в остаточной квантовой яме, а длинноволновый (1015-1030 нм) обусловлен поглощением в КЯТ. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии позволили установить, что увеличение числа слоев InGaAs приводит к росту упругих напряжений, которые в свою очередь приводят к заглублению уровней размерного квантования в КЯТ и длинноволновому сдвигу в спектральной зависимости внутреннего квантового выхода фотоответа. |
| Ключевые слова | многослойные гетероструктуры |
|
гетероструктуры квантовые яма-точки фотопреобразователи-GaAs арсенид галлия квантовые ямы квантовые точки газофазная эпитаксия квантоворазмерные гетероструктуры |
|
|
Калюжный, Н. А. Надточий, А. М. Максимов, М. В. Неведомский, В. Н. Сокура, Л. А. Рувимов, С. С. Шварц, М. З. Жуков, А. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136 |
|
| Имя макрообъекта | Минтаиров_многослойные |
| Тип документа | b |
