| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689790215 |
| Дата корректировки | 16:30:49 9 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.09.46151.8841 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Смагина, Ж. В. | |
|
Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001) Электронный ресурс |
|
| Study of structural and luminescent properties of Ge(Si) quantum dots arranged on Si(001) surface | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Разработан метод создания Ge/Si-структур с пространственно упорядоченными наноостровками при гетероэпитаксии на структурированных подложках Si(001) с квадратной решеткой ямок травления. Исследовано влияние глубины и периода расположения затравочных областей (ямок травления) на зарождение и рост Ge(Si)-наноостровков. Показано, что при изменении глубины ямок формируются как отдельные наноостровки внутри ямок, так и упорядоченные группы островков по их периметру. Обнаружено, что размеры наноостровков, формирующихся внутри ямок, увеличиваются с ростом расстояния между ямками от 1 до 4мкм. Ярко выраженный сигнал фотолюминесценции от структур с пространственно упорядоченными квантовыми точками с периодом 1мкм и больше наблюдается в диапазоне энергий 0.9-1.0 эВ. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
подложки Si кремний наноостровки Ge германий гетероэпитаксия |
|
|
Зиновьев, В. А. Кривякин, Г. К. Родякина, Е. Е. Кучинская, П. А. Фомин, Б. И. Яблонский, А. Н. Степихова, М. В. Новиков, А. В. Двуреченский, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 1028-1033 |
|
| Имя макрообъекта | Смагина_исследование |
| Тип документа | b |
