| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688473487 |
| Дата корректировки | 11:07:11 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46058.8797 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Митрофанов, М. И. | |
|
Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления Электронный ресурс |
|
| Concentric hexagonal structures GaN for nanophotonics, made by gas phase epitaxy with ion beam etching | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных сфокусированным ионным пучком, в слое Si[3]N[4] были сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными гранями. Установлено, что при росте структур в окнах маски, имеющих кольцевую форму, в процессе роста происходит формирование коаксиальных гексагональных структур. |
| Ключевые слова | нанофотоника |
|
селективная газофазная эпитаксия ионное травление гексагональные структуры GaN нитрид галлия |
|
|
Левицкий, Я. В. Вознюк, Г. В. Татаринов, Е. Е. Родин, С. Н. Калитеевский, М. А. Евтихиев, В. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 816-818 |
|
| Имя макрообъекта | Митрофанов_концентрические |
| Тип документа | b |
