Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Калитеевский, М. А.

Статьи. Автор - Калитеевский, М. А.

• Экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии в микрорезонаторах на основе таммовских плазмонов с органической активной областью
  Морозов, К. М., Иванов, К. А., Selenin, N., Mikhrin, S., Pereira, D. de Sa, Menelaou, C., Monkman, A. P., Калитеевский, М. А.
  
  ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 11. - С. 1308-1312 .- Морозов_экспериментальное
• Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями
  Лазаренко, А. А., Иванов, К. А., Губайдуллин, А. Р., Калитеевский, М. А.
  
  Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 547-550 Лазаренко_оптимизация
• Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
  Жуков, А. Е. , Алферов, Ж. И., Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Калитеевский, М. А. , Иванов, К. А., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В.
  
  Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 674-678 .- Жуков_многослойные
• Квантование электромагнитного поля в трехмерных фотонных структурах на основе формализма матрицы рассеяния (S-квантование)
  Иванов, К. А., Губайдуллин, А. Р., Калитеевский, М. А.
  
  Квантование электромагнитного поля в трехмерных фотонных структурах на основе формализма матрицы рассеяния (S-квантование), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1023-1027 Иванов_квантование
• Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
  Митрофанов, М. И., Левицкий, Я. В., Вознюк, Г. В., Татаринов, Е. Е., Родин, С. Н., Калитеевский, М. А. , Евтихиев, В. П.
  
  Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 816-818 Митрофанов_концентрические
• Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs
  Позина, Г., Калитеевский, М. А. , Никитина, Е. В., Губайдуллин, А. Р., Иванов, К. А., Егоров, А. Ю.
  
  Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 736-740 Позина_исследование
• Эффект Парселла в одномерных разупорядоченных фотонных кристаллах
  Губайдуллин, А. Р., Иванов, К. А., Николаев, В. В., Калитеевский, М. А.
  
  Эффект Парселла в одномерных разупорядоченных фотонных кристаллах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 986-991 Губайдуллин_эффект
• Ангармонические блоховские осцилляции электронов в электрически смещенных сверхрешетках
  Иванов, К. А., Гиршова, Е. И., Калитеевский, М. А. , Clark, S. J., Gallant, A. J.
  
  Ангармонические блоховские осцилляции электронов в электрически смещенных сверхрешетках, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1484-1489 .- Иванов_ангармонические
• Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
  Белоновский, А. В., Позина, Г., Левитский, Я. В., Морозов, К. М., Митрофанов, М. И., Гиршова, Е. И., Иванов, К. А., Родин, С. Н., Евтихиев, В. П., Калитеевский, М. А.
  
  Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 85-88 Белоновский_сильная
• Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью
  Морозов, К. М., Белоновский, А. В., Гиршова, Е. И., Иванов, К. А., Калитеевский, М. А.
  
  Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 280-284 Морозов_свойства