| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687517546 |
| Дата корректировки | 9:10:39 14 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.03.45623.8587 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алтухов, В. И. | |
|
Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса Электронный ресурс |
|
| Nonlinear by concentration model of surface state of the Schottky barrier and calculation of current-voltage characteristics of SiC-based diodes and its solid solutions in composite model of transfer electric current | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Предложена модифицированная нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки, содержащая локальный квазиуровень Ферми на границе раздела, обусловленного избыточным поверхностным зарядом. Такой подход позволяет объяснить наблюдающееся подобие вольт-амперная характеристика диодов c барьером Шоттки M/(SiC)[1-x] (AlN)[x] и гетеропереходов на основе SiC и его твердых растворов. Результаты расчетов высоты барьеров Шоттки согласуются с данными опытов, полученными по фототоку для металлов (M): Al, Ti, Cr, Ni. Вольт-амперные характеристики в составной - аддитивной модели токопереноса согласуются с данными экспериментов для систем n-M/p-(SiC)[1-x] (AlN)[x] и n-6H-SiC/p-(SiC)[0.85](AlN)[0.15]. |
| Ключевые слова | барьеры Шоттки |
|
твердые растворы карбид кремния диоды термополевая эмиссия квазиуровень Ферми |
|
|
Санкин, А. В. Сигов, А. С. Сысоев, Д. К. Янукян, Э. Г. Филиппова, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 366-369 |
|
| Имя макрообъекта | Алтухов_нелинейная |
| Тип документа | b |
