Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса

Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса

Авторы: Алтухов, В. И. Санкин, А. В. Сигов, А. С. Сысоев, Д. К. Янукян, Э. Г. Филиппова, С. В.